SUSS高性能涂胶机I （SUSS Spin-coater） 主要技术指标/Specifications: 支持衬底尺寸：2”,3”,4”,6”及碎片 Substrate size:2”,3”,4”,6”and piece parts. 最快转速：8000rpm Maximum spin speed: 8000rpm 转速准确度：+/- 1rpm Speed accuracy: +/- 1rpm 厚度均匀性：2% (Resist AZ5214E, 1 um) Thickness uniformity: 2% (Resist AZ5214E, 1 um) 可编辑recipe，每个Recipe最多可编辑40步。 Recipe step: maxmum 40 steps for each recipe. 主要用途/Application: 半导体光刻工艺中光刻胶旋涂。 Spin coating photoresist on the substrate.
SUSS Delta HP8热板 (SUSS Delta HP8 hotplate) 主要技术指标/Specifications: 温度范围：60°C~250°C Temperature range: 60°C~250°C 温度精度：120°C ±0.5°C ， 120°C 以上±1% Temperature accuracy: 120°C ±0.5°C , ±1%@ above120°C 基片尺寸：支持8 英寸 Substrate size: 8inch 主要用途/Applications: 半导体光刻工艺中最大8 寸基片光刻胶烘烤。 Resist baking to drive off solvents and to solidify the film.
HP-303DU热板 (HP-303DU hotplate) 主要技术指标/Specifications: 温度范围：室温~380℃ Temperature range: room temperature~380℃ 温度精度：≤±1% Temperature accuracy: ≤±1% 主要用途/Applications: 半导体光刻工艺中最大尺寸达300×300 基片光刻胶烘烤。 Resist baking to drive off solvents and to solidify the film.
SVS OV-12 HMDS 烘箱 （Vacuum oven） 主要技术指标（ Specifications）: 温度范围：RT～200℃ Temperature range: ambient to 200 ℃ 温度偏差：＋/-2℃@100℃ Temperature variation： ＋/-2℃ @100℃ 温度波动范围：+/-0.4℃ Temperature uniformity：+/-0.4℃ 加热时间：72min @RT~100℃ Ramp up rate：72min @ ambient to 100℃. 主要用途/Applications: 半导体光刻工艺中硅片表面改性；增加光刻胶对硅片的黏附性。 Improving the adhesion between SiO2 (or glass,Si) surfaces and the photoresist.
Princision Imprint PI-D01纳米压印机 （Princision Imprint PI-D01Nano-imprint lithography machine） 主要技术指标/Specifications: 最小压印尺寸：<20nm Imprint minimum feature size ：<20nm 最小残留层厚度：<15nm Minimum residual layer thickness： <15nm 印章/基底尺寸 ：≤2inch to 6 inches Stamp/substrate size: from 2inch to 6inch diameter 压印压力：0 – 10 bar Imprint pressure: 0 – 10 bar 压印温度：室温到 300ºC Imprint temperature: from ambient temperature to 300º; Imprint temperature setting…
SUSS MA6双面对准光刻机 （SUSS MA6 Mask Aligner） 主要技术指标/Specifications: 紫外光波长：350nm～450nm Exposure wavelength:350nm～450nm 光强均匀性：2% （6英寸的衬底） Light intensity uniformity:2% （6inch wafer） 分辨率: 0.8μm Resolution: 0.8μm 正面套准精度：0.5μm Top side overlay accuracy: 0.5μm 背面套准精度：1μm Back side overlay accuracy:1μm 基片尺寸：支持6英寸以下5、4、3以及破片 Substrate size: 3”, 4”, 5”, 6”, and piece parts. 主要用途/Applications: 微纳器件加工中曝光微米级结构图型。 Patterning of micrometer-scale structures with photoresist.
VistecEBPG-5200+电子束光刻系统 （Vistec EBPG-5200+Electron-beam lithography system） 主要技术指标/Specifications: 最大加速电压：100KV Accelerating voltage: 100KV 最大扫描速度：50MHZ Pattern generator frequency: 50MHz 束流：0.1nA~100nA Beam current：0.1nA~100nA 最小束斑直径：≤3nm Minimum beam spot size: ≤3nm 电子束寻址位DAC: 20bits主场，14bits子场 DAC addressing: 20bits main field, 14bits sub field 最小实测线宽：≤8nm Minimum measured line width：≤8nm 最小重合/拼接精度：±12 nm Minimum stitching/overlay accuracy: ±12 nm 最大写场：1mm*1mm Write filed: 1mm*1mm 基片尺寸：支持8英寸基片及6英寸掩膜版，同时兼容3、4、5、6英寸硅片与4、5、6、7英寸掩膜版、以及破片的电子束加工，最大基片厚度0.675mm。 Substrate size: 2”,3”,4”,5”, 6”,8”,…
东南大学凌新生教授来访参观 2015年12月15日，东南大学凌新生教授至AEMD平台参观交流，平台常务副主任程秀兰老师就净化室整体规划、设备配置以及运行使用情况进行了介绍，凌教授在了解平台现有加工工艺能力后，对平台的建设予以充分的肯定。同时，凌教授就其科研方向纳米孔与平台程老师展开热烈的讨论，并提到AEMD平台的建立在一定程度上弥补了上海乃至中国在微纳技术领域的缺憾。 图1. 平台程秀兰老师向凌新生教授介绍AEMD平台现状 图2. 程秀兰老师和凌新生教授就纳米孔展开热烈的讨论
苏州大学教授陈林森应邀至AEMD开展研讨会 2015年12月9日，苏州大学教授、中国光学学会全息与光信息处理专业委员会主任，数码激光成像与显示教育部研究中心主任陈林森教授应邀至AEMD平台参观指导，并在微电子大楼401会议室开展关于高速及柔性器件相关研讨会。 陈林森教授就目前微纳技术领域的应用和局限性做了简单的介绍后，提出现今其科研的主要方向在于高速和柔性器件，陈教授和其团队还为平台用户带来他们最近研发的科研产品。研讨会期间，平台用户都对陈教授目前研发的方向产生浓厚的兴趣，在会后仍与陈教授热烈的讨论。同时陈教授也对平台的发展和建立表示充分的肯定和支持。 陈林森教授简介： 陈林森，苏州大学研究员、博导，“国家2011计划”苏州纳米科技协同创新中心-微纳柔性制造专业中心主任。苏州苏大维格光电科技股份有限公司董事长，数码激光成像显示国家地方联合工程研究中心主任，江苏省“333工程”首席科学家。 近10年来，承担了国家重大科技（攻关）计划、国家863计划、国际科技合作、江苏省重大成果转化专项和国家自然科学基金等项目。攻克了位相空间微纳光场调控、3D导航飞行曝光、纳米成像与连续变频纳米光刻和卷对卷纳米压印技术等重大难题并填补行业空白，例如研制的“微纳图形高速率直写光刻系统”在以色列、日本和我国高等院所应用；在功能薄膜设计方面，做出了开拓性工作，发明了纳米光变色、3D光学放大、超薄导光和金属微网格透明导电等高性能薄膜，在包括Microsoft等国际著名品牌产品(Surface Pro4)上应用。100余篇论文,100余篇发明专利,其中获中国专利奖（优秀奖）3项。 目前，承担国家863计划-重大项目（召集人）、国家重大科学仪器设备研制专项（首席专家）和国家自然科学基金重大研究计划-集成项目。兼任国家微纳加工与制造产业技术创新试点联盟副理事长、中国光学学会全息与光信息处理专委会主任、全国纳米技术标准化技术委员会委员和江苏省政协委员。
【AEMD系列技术研讨会】 High-rate nano manufacturing and flexible devices 报告题目： High-rate nano manufacturing and flexible devices 报告人： 陈林森 教授 报告时间： 2015年12月09日 9:30 报告地点： 微电子大楼401会议室 报告人简介： 陈林森，苏州大学研究员、博导，“国家2011计划”苏州纳米科技协同创新中心-微纳柔性制造专业中心主任。苏州苏大维格光电科技股份有限公司董事长，数码激光成像显示国家地方联合工程研究中心主任，江苏省“333工程”首席科学家。 近10年来，承担了国家重大科技（攻关）计划、国家863计划、国际科技合作、江苏省重大成果转化专项和国家自然科学基金等项目。攻克了位相空间微纳光场调控、3D导航飞行曝光、纳米成像与连续变频纳米光刻和卷对卷纳米压印技术等重大难题并填补行业空白，例如研制的“微纳图形高速率直写光刻系统”在以色列、日本和我国高等院所应用；在功能薄膜设计方面，做出了开拓性工作，发明了纳米光变色、3D光学放大、超薄导光和金属微网格透明导电等高性能薄膜，在包括Microsoft等国际著名品牌产品(Surface Pro4)上应用。100余篇论文,100余篇发明专利,其中获中国专利奖（优秀奖）3项。 曾获国家科技进步奖（二等奖，2项）、江苏省科技奖（一等奖，3项）等科技奖20余项，全国留学回国人员成就奖、江苏省创新创业人才奖、全国先进工作者和苏州杰出人才奖等称号。 目前，承担国家863计划-重大项目（召集人）、国家重大科学仪器设备研制专项（首席专家）和国家自然科学基金重大研究计划-集成项目。兼任国家微纳加工与制造产业技术创新试点联盟副理事长、中国光学学会全息与光信息处理专委会主任、全国纳米技术标准化技术委员会委员和江苏省政协委员。 研究兴趣：微纳智能制造系统，裸眼3D激光显示、功能薄膜与柔性电子器件、3D光场打印。 报告内容简介： The development of highly functional films with micro/nano-structures plays a significant role in accelerating the application progress of flexible devices. Design and fabrication…