Zeiss Ultra Plus场发射扫描电子显微镜

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Zeiss Ultra Plus场发射扫描电子显微镜 （Zeiss Ultra Plus Field Emission Scanning Electron Microscope） 主要技术指标/Specifications: 分辨率：≤0.8nm@15V，≤1.6nm@1kV Resolution: ≤0.8nm@15V，≤1.6nm@1kV 加速电压：0.02kV-30kV，优异的低电压性能适合观察导电性较差的样品； Acceleration Voltage: 0.02kV-30kV, the excellent low-KV image favors the observation of sample that conducts electricity poorly. 探测器: 极靴内高效二次电子探测器及能量选择背散射电子探测器，样品室内高效二次电子探测器及角度选择背散射电子探测器，能同时获得二次电子图像和背散射电子像。 Detectors: In-lens EsB detector with filtering gird (0-1500V), high efficiency in-lens SE detector, chamber mounted Everhart-Thornley detector, integrated ASB detector 样品台：最大样品尺寸Φ200mm，5轴电动优中心样品台，可倾斜范围为-3～70°，连续旋转360°。…

Zeiss Auriga场发射电子束/聚焦离子束双束系统

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Zeiss Auriga场发射电子束/聚焦离子束双束系统 （ZEISS Auriga SEM/FIB Crossbeam System） 主要技术指标/Specifications: 分辨率：≤1.0nm@15V，≤1.9nm@1KV Resolution: ≤1.0nm@15V，≤1.9nm@1KV 加速电压：0.1KV-30KV Acceleration voltage: 0.1KV-30KV 电子枪:热场发射电子枪 Election gun: thermal field emission type 离子束：Ion Beam: 离子源种类：液态Ga离子源 Ion source type: liquid Ga+ source 分辨率：≤2.5nm@30kV Resolution: ≤2.5nm@30kV 加速电压：1kV-30kV Acceleration voltage: 1kV-30KV 辅助功能/Assistant functions: Pt,W,C,SiO2,XeF2气体注入系统：可在离子束、电子束诱导下进行可控沉积及增强或选择性刻蚀； Multi-gas injection system (GIS) for Pt, W, C,SiO2,XeF2: Controllable deposition and enhancing or selective…

Denton多靶磁控溅射镀膜系统

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Denton多靶磁控溅射镀膜系统 （Denton Multi-target Magnetic Control Sputtering System） 主要技术指标/Specifications: 极限真空：优于5´10-7Torr Ultimate vacuum: better than 5´10-7Torr 镀膜均匀性与重复性：6英寸衬底均匀性优于±3 % ，重复性优于±2.0% Uniformity & Repeatability: Thickness non-uniformity less than ±5% on 6″ wafer; repeatability better than ±2% 靶材：3个3英寸靶位；2个DC源和1个RF源 Target: three 3” target; two DC power and one RF power 基片尺寸：支持6英寸以下兼顾5、4、3、2英寸以及破片 Substrate size:  6″, 5”, 4”, 3” and below; pieces. 具备防交叉污染的挡板。…

Denton电子束蒸发镀膜设备

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Denton电子束蒸发镀膜设备 （Denton Electron Beam Evaporator） 主要技术指标/Specifications: 极限真空：优于1´10-7Torr Ultimate vacuum :<1´10-7Torr 镀膜均匀性与重复性：6英寸衬底均匀性优于±3% ，重复性优于±2.0%；Uniformity & Repeatability: Thickness non-uniformity less than ±3% on 6″ wafer, repeatability better than ±2% 可配备石墨、钨、钼衬埚，容量18cc. Mo crucible liners and Graphite crucible liners with volum 18cc 可以加工的衬底尺寸：6 英寸以下兼顾5、4、3、2英寸以及破片 Manual tilted substrate stage able to hold maximum one 6″ wafer 工件台偏转角度±45°可调，可做倾斜蒸发。 Max. substrate stage tilt…