关于NMC深硅刻蚀设备恢复对外开放使用的通知
关于NMC深硅刻蚀设备恢复对外开放使用的通知 各位尊敬的用户老师、学生： AEMD平台西区NMC深硅刻蚀设备已完成维护恢复对外开放使用。SPTS深硅刻蚀仍在维护中。在此期间，给您带来不便，还请见谅！感谢您对AEMD平台的关注！ 先进电子材料与器件校级平台 二零一五年十二月三十一日
AEMD平台防化装备使用演练
AEMD平台防化装备使用演练 为了进一步加强AEMD平台安全工作，增强平台师生消防安全意识，做到在发生化学品泄漏时，能临危不乱，有序、迅速地使用防化服装备，确保生命安全和平台的消防安全。AEMD平台于2015年12月25日开展了一次防化装备使用演练。 AEMD平台厂务工程师兼安全员韩永来老师教官现场演示了防化服的穿戴，并由厂务助管梁国恩老师计时，确保化学品泄漏时能及时穿戴使用防化服，做到切实有效安全防护。 这次防化装备消防演练活动的顺利完成，强化了师生的安全意识，使抽象的安全演练变成具体的实战演习，切实加强了平台的安全教育工作，为创建“平安和谐”的平台提供夯实基础。
关于NMC深硅刻蚀及SPTS深硅刻蚀设备维护的通知
关于NMC深硅刻蚀及SPTS深硅刻蚀设备维护的通知 各位尊敬的用户老师、学生： AEMD平台西区NMC深硅刻蚀及SPTS深硅刻蚀因射频故障现暂停使用，给您带来不便，还请见谅！设备恢复后会及时通知各位用户老师及学生，谢谢！ 先进电子材料与器件校级平台 二零一五年十二月二十五日
关于AEMD平台2016年元旦放假安排的通知
关于AEMD平台2016年元旦放假安排的通知 各位老师、同学： 根据《国务院办公厅关于2016年部分节假日安排的通知》，结合AEMD工作实际，经研究决定，现将AEMD平台2016年元旦放假安排通知如下： 一、2016年元旦放假调休共3天(1月1日至3日)。1月4日起恢复正常运行。 二、2015年12月31日AEMD平台于16:00关闭实验室，并进行安全检查及实验室物资清算。请各位师生提前做好实验安排，自行调整实验进度。 三、放假期间，AEMD平台各部门单位要认真做好值守应急、安全保卫等工作，确保全平台师生员工过好祥和平安的假日。 AEMD平台联系电话：34206187-6000（东区）、34207734-8000（西区） 保卫处值班电话：54749110 特此通知 先进电子材料与器件（AEMD）校级平台 2015年12月25日
Zeiss Ultra Plus场发射扫描电子显微镜
Zeiss Ultra Plus场发射扫描电子显微镜 （Zeiss Ultra Plus Field Emission Scanning Electron Microscope） 主要技术指标/Specifications: 分辨率：≤0.8nm@15V，≤1.6nm@1kV Resolution: ≤0.8nm@15V，≤1.6nm@1kV 加速电压：0.02kV-30kV，优异的低电压性能适合观察导电性较差的样品； Acceleration Voltage: 0.02kV-30kV, the excellent low-KV image favors the observation of sample that conducts electricity poorly. 探测器: 极靴内高效二次电子探测器及能量选择背散射电子探测器，样品室内高效二次电子探测器及角度选择背散射电子探测器，能同时获得二次电子图像和背散射电子像。 Detectors: In-lens EsB detector with filtering gird (0-1500V), high efficiency in-lens SE detector, chamber mounted Everhart-Thornley detector, integrated ASB detector 样品台：最大样品尺寸Φ200mm，5轴电动优中心样品台，可倾斜范围为-3～70°，连续旋转360°。…
Zeiss Auriga场发射电子束/聚焦离子束双束系统
Zeiss Auriga场发射电子束/聚焦离子束双束系统 （ZEISS Auriga SEM/FIB Crossbeam System） 主要技术指标/Specifications: 分辨率：≤1.0nm@15V，≤1.9nm@1KV Resolution: ≤1.0nm@15V，≤1.9nm@1KV 加速电压：0.1KV-30KV Acceleration voltage: 0.1KV-30KV 电子枪:热场发射电子枪 Election gun: thermal field emission type 离子束：Ion Beam: 离子源种类：液态Ga离子源 Ion source type: liquid Ga+ source 分辨率：≤2.5nm@30kV Resolution: ≤2.5nm@30kV 加速电压：1kV-30kV Acceleration voltage: 1kV-30KV 辅助功能/Assistant functions: Pt,W,C,SiO2,XeF2气体注入系统：可在离子束、电子束诱导下进行可控沉积及增强或选择性刻蚀； Multi-gas injection system (GIS) for Pt, W, C,SiO2,XeF2: Controllable deposition and enhancing or selective…
Denton多靶磁控溅射镀膜系统
Denton多靶磁控溅射镀膜系统 （Denton Multi-target Magnetic Control Sputtering System） 主要技术指标/Specifications: 极限真空：优于5´10-7Torr Ultimate vacuum: better than 5´10-7Torr 镀膜均匀性与重复性：6英寸衬底均匀性优于±3 % ，重复性优于±2.0% Uniformity & Repeatability: Thickness non-uniformity less than ±5% on 6″ wafer; repeatability better than ±2% 靶材：3个3英寸靶位；2个DC源和1个RF源 Target: three 3” target; two DC power and one RF power 基片尺寸：支持6英寸以下兼顾5、4、3、2英寸以及破片 Substrate size: 6″, 5”, 4”, 3” and below; pieces. 具备防交叉污染的挡板。…
Denton电子束蒸发镀膜设备
Denton电子束蒸发镀膜设备 （Denton Electron Beam Evaporator） 主要技术指标/Specifications: 极限真空：优于1´10-7Torr Ultimate vacuum :<1´10-7Torr 镀膜均匀性与重复性：6英寸衬底均匀性优于±3% ，重复性优于±2.0%；Uniformity & Repeatability: Thickness non-uniformity less than ±3% on 6″ wafer, repeatability better than ±2% 可配备石墨、钨、钼衬埚，容量18cc. Mo crucible liners and Graphite crucible liners with volum 18cc 可以加工的衬底尺寸：6 英寸以下兼顾5、4、3、2英寸以及破片 Manual tilted substrate stage able to hold maximum one 6″ wafer 工件台偏转角度±45°可调，可做倾斜蒸发。 Max. substrate stage tilt…
Ocean Optics可见光膜厚测量仪
Ocean Optics可见光膜厚测量仪 (Ocean Optics Film Thickness Measurement System with Microscope) 主要技术指标/Specifications: 测量范围：50nm-20um Thickness range: 50nm-20um 测量精度：1% Meas. accuracy :1% 光谱波长范围：400nm~850nm Spectrum wavelength: 400nm~850nm 基片尺寸：2mm*2mm~200mm*200mm Substrate size: 2mm*2mm~200mm*200mm 带显微镜系统，可进行微区定点测量 Equipped with microscope, can measure specified point film thickness 主要用途/Applications: 氧化物、氮化物、光阻及其他半导体制程薄膜厚度测量，光学常数（n、k）测量。 Thickness and optical constant (n, k) measurement of transparent films, such as SiO2, Si3N4, photoresist,…
Laurell 650-8N高性能涂胶机
Laurell 650-8N高性能涂胶机 （Laurell 650-8N Spin-coater） 主要技术指标/Specifications: 最高转速： 12000 rpm Maximum spin speed: 12000rpm 转速精度：+/- 0.5rpm Speed accuracy: +/- 0.5rpm 厚度均匀性：~1% (Resist S1805, 0.5 um) Thickness uniformity: ~1% (Resist S1805, 0.5 um) 旋涂尺寸:Min. 3mm; Max.: ø200 or 7″×7″ (178mm; Max.: Substrate size: :Min. 3mm; Max.: ø200 or 7″×7″ (178mm; Max.:. 主要应用： 半导体光刻工艺中光刻胶旋涂。 Spin- coating…