关于AEMD平台紫外干涉薄膜厚度测量仪开放通告

尊敬的各位用户老师、同学：

为了满足学校广大师生的科研需求，AEMD平台新购置的紫外干涉薄膜厚度测量仪设备（设备编号：WF1TFMF01）已完成安装调试，即日起开放运行，各位用户老师、同学可在AEMD预约系统里预约使用，特此公告。

紫外干涉薄膜厚度测量仪设备介绍：

主要用途：

可对薄膜样品进行无接触的无损厚度测量，可测量薄膜厚度及光学常数，测量迅速、操作简单，精度通常可达到纳米或埃量级。波长范围可以从紫外到红外可选，样品台支持12寸及以下晶圆，包括不规则形状破片，可做自动面扫描。常用于测量二氧化硅，氮化硅，硅，光刻胶等多种材料的薄膜厚度。

设备工作原理简介：

在测量样品表面垂直照射紫外可见光，光的一部分在薄膜表面反射，另一部分透过薄膜后在薄膜与下层材料之间的界面反射。这时薄膜表面的反射光与薄膜底部的反射光产生干涉现象，使得反射光的强度发生振荡，光强振荡与入射光波长及薄膜的厚度相关。

工艺能力：

1. 薄膜厚度测试范围涵盖5 nm—250 μm；
2. 膜厚测量准确度：≤±2%或1 nm （500 nm-800 nm厚度范围SiO2/Si标样）;
3. 膜厚测量精度(连续测量100次)：≤02 nm (500 nm-800 nm厚度范围SiO2/Si标样)；
4. 膜厚测量稳定性（100次测量）：≤05 nm （500 nm-800 nm厚度范围SiO2/Si标样）;
5. 测试速度：≤1 sec/点（5点及以上）。

技术指标：

探测波长范围涵盖190nm—1700nm; 样品台支持12英寸，8英寸，6英寸，5英寸，4英寸样品，并且可以测试不规则样品。

典型使用案例：

厚度呈台阶分布的二氧化硅薄膜样品面扫描厚度分布的二维（上）和三维图（下）

设备类别：测试设备

工艺工程师：

姓名：瞿敏妮；邮箱：minni.qu@sjtu.edu.cn；电话：021-34207734-8003

测试设备列表：https://aemd.sjtu.edu.cn/设备/设备分类/测试设备/

 

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2020年09月07日