氮化硅片/Silicon Nitride Wafer
氮化硅的强度很高，是世界上最坚硬的物质之一。它极耐高温，强度一直可以维持到1200℃的高温而不下降，受热后不会熔成融体，一直到1900℃才会分解，并有惊人的耐化学腐蚀性能，能耐几乎所有的无机酸和30%以下的碱溶液，也能耐很多有机酸的腐蚀；同时又是一种高性能电绝缘材料，氮化硅薄膜广泛应用于微电子、光电子、高能物理等领域。
AEMD的氮化硅片是使用管式炉通过低压化学气相沉积（LPCVD） 方式沉积的氮化硅薄膜，加工的厚度范围从10纳米到500纳米，工艺温度高达700℃以上。相较于等离子体增强型化学气相沉积（PECVD）以及溅射等方式沉积的氮化硅薄膜，LPCVD的氮化硅具备更加致密的薄膜特性，更耐腐蚀，薄膜硬度更好，掩膜性更好，更加广泛的应用于碱性溶液刻蚀硅材料的掩膜层。
AEMD的低压化学气相沉积炉管采用的是捷克卧式炉管，具备工艺稳定性高，薄膜均匀性好以及颗粒控制度优越等特点。氮化硅炉管每管可以加工50片，具有极好的片内和片间均匀性。
（AEMD炉管设备图片）
在半导体工业中，氮化硅层用作介电材料、钝化层或硬掩模。此外，在微观力学中也有一些应用。
应用举例
1、作为KOH刻蚀的硬掩膜，
2、在场氧化过程中定义活性区；
3、用于膜、悬臂梁和其他与MEMS器件相关的机械结构；
（AEMD氮化硅薄膜图片）
AEMD氮化硅片工艺参数
（3寸和4寸P型硅片，其他尺寸基底可以定制）
工艺工程师：
姓名：李进喜；邮箱：lijinxi@sjtu.edu.cn；电话：021-34207734-8016