倾斜侧壁刻蚀工艺

（Reactive ion etching with controllable tapered sidewall/sloped profile）

在光电子器件的制备工艺中，绝大多数器件工艺对刻蚀侧壁形貌的要求是侧壁垂直，然而某些器件的特殊结构比如图形衬底、多台面金属爬坡工艺等都需要对材料进行有角度的侧壁刻蚀。

AEMD平台采用国际先进的微纳加工技术，基于成熟的光刻、干法刻蚀等技术，具备倾斜角度可调且表面光滑的侧壁刻蚀能力。

倾斜侧壁结构的应用：

1. MEMS器件中的二氧化硅牺牲层
2. 提高侧壁覆盖性的具有倾斜角度的绝缘介质层
3. 光学产业中的微透镜、微槽、微锥、微棱镜等三维表面结构

AEMD现有工艺能力展示：

 

 

AEMD平台倾斜侧壁加工工艺能力：

1. 刻蚀形状可为台面刻蚀或者孔刻蚀。
2. 刻蚀表面质量好，刻蚀后表面质量与刻蚀前值相当。
3. 图形最小特征尺寸可达5um。
4. 刻蚀材料可为石英体材料或氧化硅薄膜材料等。
5. 加工面积：最大加工面积为6英寸，并向下兼容破片。

平台可提供定制化服务，根据客户的应用条件和环境变量，设计锥台/锥孔刻蚀工艺。具体可联系工艺工程师咨询。

工艺工程师：

姓名：刘丹；邮箱：liudanqh@sjtu.edu.cn；电话：021-34207734-8012