薄膜沉积设备

序号	设备名称	设备编号	设备放置地点	设备状态	工艺工程师	设备功能	温度范围	送样须知及注意事项	备注
1	Oxford等离子体增强化学气相沉积系统	WF2OCVD01	西区薄膜II区	对外开放	刘民	1. 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅薄膜沉积； 2. 碳化硅薄膜沉积。	~ 400℃	不接受耐高温性差的样品（如含光刻胶的样品），不接受带污染的样品。
2	Parylene沉积系统	EW1PDSS01	东区薄膜Ⅳ区	对外开放	付学成	满足沉积聚对二甲苯（Parylene）的C、D、N、F不同类型的薄膜材料，沉积厚度500nm-100um、4英寸非均匀性±5%，沉积速度5um/h	20-30℃	6英寸以下的干净硅片、玻璃、石英、陶瓷衬底均可	设备实验周期长，完成一个实验周期需要8小时左右。一般早上进样品，下午取出。
3	电感耦合等离子体化学气相沉积设备	WF2PCVD01	西区薄膜II区	对外开放	付学成	低温沉积二氧化硅，氮化硅薄膜。	<70℃或<300℃	样品尺寸不大于6英寸。
4	Denton电子束蒸发镀膜设备（E-Gun）	WF1DEGN01	西区薄膜I区	对外开放	付学成	1. 蒸发沉积各类金属薄膜； 2. 蒸发沉积氧化硅薄膜； 3. 可实现+/-45度的斜角蒸发。	22℃-200℃	样品尺寸小于8英寸；不接受铂金厚膜（100nm以上），不接受在微小颗粒（毫米级以下）样品上镀膜；不接受钼、钨等高熔点、高污染金属镀膜；不接受蒸镀氧化物膜；不接受磁性材料（Fe\Ni）厚膜（大于200nm）。	1. 最低0.5小时起算； 2. 贵金属材料费另计：Au 50元/10nm,Pd 40元/10nm, Pt 50元/10nm；低于50nm按照50nm收费； 3. 易产生颗粒污染，需要额外清腔。
5	Denton多靶磁控溅射镀膜系统	WF1DMSP01	西区薄膜I区	对外开放	付学成	1. 溅射沉积各类金属、氧化物、氮化物薄膜； 2. 可实现原位基片清洗、多层复合薄膜、多靶共溅复合薄膜沉积； 3. 原位基片加热（250℃）。	22℃—60℃	不接受过于潮湿的样品（厚胶3微米以上）；不接受溅射磁性材料（Fe\Ni）样品；不接受大于6英寸样品；不接受在微小颗粒（毫米级以下）样品上镀膜。	1. 最低0.5小时起算； 2. 贵金属材料费另计：Au 50元/10nm,Pd 40元/10nm, Pt 50元/10nm；低于50nm按照50nm收费； 3. 易产生颗粒污染，需要额外清腔。
6	等离子体增强原子层沉积设备	WF1BALD01	西区薄膜I区	对外开放	乌李瑛	沉积多种超薄高保形性、高台阶覆盖能力的介质薄膜材料，厚度可实现原子层的控制。	室温〜500°C	样品尺寸小于8英寸，不接受粉末或带污染的样品。沉积较慢，厚膜需要较长时间。	最低0.5小时起算。
7	Ulvac超高真空溅射系统	EMCUUVS01	西区封装一区	对外开放	毛海平	溅射沉积Pd、Zr、Al、Cu等各种纳米级单层或多层纳米厚度膜（通常低于50nm)。	烘烤温度≤300℃	3英寸以下衬底；不接受有胶沉积薄膜；不接受氧气氛围反应溅射。	1. 设备费最低0.5小时起算； 2. 设备抽真空时间不计。
8	LH-Z550溅射系统	EMCL55001	东区主大厅	已报废	毛海平	只接受Cr\Cu\Au\Pt薄膜溅射。	烘烤温度≤300℃	3英寸为主。	1. 最低0.5小时起算； 2. 此价格为1炉13片的价格； 3. 贵金属材料费另计： Pt 60元/10nm/片。
9	ADVANCED离子束溅射系统	EMCAIBD01	西区薄膜I区	对外开放	毛海平	1. 沉积各类金属薄膜； 2. 磁性材料沉积需与平台联系确认。	靶面温度≤100℃,台面温度5℃－25℃	4英寸以下厚度在4毫米以下衬底；均匀性±5%；可以接受磁性材料溅射。	1. 最低4小时起算； 2. 贵金属材料费另计：Au40元/10nm,Pd 30元/10nm, Pt 40nm/10nm； 3.不做超过300纳米厚膜。
10	SYSKEY全自动多靶溅镀系统	EODSMSP01	东区COMD大厅	暂停开放	毛海平	沉积以ITO\ZAO\IWO等氧化物半导体薄膜为主。	基板加热系统:≤300℃	样品尺寸小于3英寸。	1. 最低0.5小时起算； 2. 自带靶材自操作：350元/小时。
11	北仪电子束蒸发系统	EODBEGN01	东区COMD大厅	设备维护	毛海平	蒸镀铝、铜、银、钽等薄膜。	烘烤温度≤300℃	尺寸小于6英寸。	1. 最低0.5小时起算； 2. 贵金属材料费另计：Au40元/10nm,Pd 30元/10nm, Pt 40nm/10nm； 3. 偏磁性材料，需要保养设备，不做超过1微米厚膜。
12	OLED器件实验制备系统	EODJODS01	东区COMD大厅	设备维护	毛海平	金属Al的蒸镀。	烘烤温度≤200℃	以小尺寸（3*3厘米样品为主）。	1. 最低0.5小时起算； 2. 自带材料自操作：250元/小时。
13	LPCVD（氮化硅薄膜沉积）	WDFSLPF02	西区炉管区	对外开放	李进喜	氮化硅薄膜的低压化学气相沉积（LPCVD)；低应力氮化硅薄膜沉积。	>700度	3,4,6寸标准硅片；前道硅片（不含任何光刻胶，金属薄膜，严禁污染设备）。	1. 样品须为整片硅片； 2.若不是全新硅片， 务必提前联系确认能否加工； 3.批量作业的炉管，若只是加工少许或单片，务必提前沟通。
14	LPCVD（非晶/多晶硅沉积）	WDFSLPF01	西区炉管区	对外开放	李进喜	多晶硅以及非晶硅薄膜的低压化学气相沉积（LPCVD)	>500度	3,4,6寸标准硅片；前道硅片（不含任何光刻胶，金属薄膜，严禁污染设备）。	1. 样品须为整片硅片； 2.若不是全新硅片， 务必提前联系确认能否加工； 3.批量作业的炉管，若只是加工少许或单片，务必提前沟通。
15	氧化炉（干氧/湿氧）	WDFSOXD03	西区炉管区	对外开放	李进喜	干氧或湿氧方式的二氧化硅炉管工艺（常压炉管方式）	1100度	3,4,6寸标准硅片；前道硅片（不含任何光刻胶，金属薄膜，严禁污染设备）。	1. 样品须为整片硅片； 2.若不是全新硅片， 务必提前联系确认能否加工； 3.批量作业的炉管，若只是加工少许或单片，务必提前沟通。