Sentech ICP反应离子刻蚀机(用于金属薄膜)
(Sentech ICP Reactive Ion Etching System- For Metal Films)
主要技术指标/Specifications:
- 气体种类:CF4、Cl2、HBr、SF6、SiCl4、BCl3等
Gas: CF4、Cl2、HBr、SF6、SiCl4、BCl3
- 基片尺寸:最大支持8英寸,并向下兼容6、5、4、3、2英寸等以及破片
substrate size: Up to 8inch and below; broken pieces
- 射频电源 ICP电源:13.56MHz,1200W; 偏压电源:13.56MHz,600W
RF Generators: ICP source: 13.56MHz, 1200w; RF Bias:13.56MHz, 600 W
- 工艺温度:-20℃到80℃可控
Process temperature: -20℃ to 80℃ controllable
- 传送模式:自动Loadlock传送系统
Wafer transfer: Automatic loadlock transfer system
主要用途/Applications:
金属薄膜(如铝、镍、铬、钛等)、多晶硅和Ⅲ-Ⅴ族化合物的干法刻蚀。
Reactive ion etching for metal films (like Al,Ni, Cr, Ti etc.), poly silicon and ⅢⅤcompound semiconductors.