RTP-300快速热处理炉
(RTP-300 Rapid Thermal Processing Furance)
主要技术指标/Specifications:
- 温度范围:300~1200℃
Heating temperature: 300~1200℃
- 升温速率:100-200℃/s
Heating rate: 100-200℃/s
- 样品尺寸:4英寸及以下尺寸
Substrate size: 4” and below; pieces
- 退火气氛:N2、O2
Annealing gas: N2、O2
主要用途/Applications:
应用于硅及化合物半导体材料离子注入后的退火,硅化物的形成,欧姆接触制备以及快速氧化,快速氮化等方面。
Post implantation annealing of silicon and compound semiconductor ; saliciding process; rapid thermal nitriding (RTN ) and rapid thermal oxidation (RTO), etc.